Akıllı telefonlarda terabayt sınırı aşıldı
Samsung, beşinci nesil V-NAND bellekleriyle, 64 GB dâhili depolama alanından 20 kat daha fazla alan ve standart microSD kartlardan 10 kat daha yüksek hız sunacak. Akıllı telefonlar için geliştirilen ilk 1 TB'lik gömülü bellek bu yıl gelecek.
ABONE OL
Akıllı telefonların yanısıra bellek teknolojilerine de odaklanan Güney Koreli Samsung Electronics, sektördeki ilk 1 TB gömülü Evrensel Flash Depolama (eUFS) 2.1’i duyurdu. Yeni çözüm bir sonraki nesil mobil uygulamalarda kullanılacak.
Böylece Samsung, ilk UFS çözümünü (128 GB eUFS) sunduktan 4 yıl sonra akıllı telefonlarda terabyte sınırını geride bırakmış oldu. Bu çözümle akıllı telefon kullanıcıları üst düzey dizüstü bilgisayarlara benzer bir depolama kapasitesine, telefonlarına ek bellek kartları almadan erişebilecek.
Samsung Electronics Bellek Satış ve Pazarlamadan Sorumlu Başkan Yardımcısı Cheol Choi, 1 TB kapasiteli eUFS’nin, yeni nesil mobil cihazlarda dizüstü bilgisayar benzeri bir deneyim sunmada kritik bir yol oynayacağını söyledi.
1 TB eUFS, Samsung’un 512-gigabit V-NAND flash belleklerinden 16 katmanı ve yeni geliştirdiği kontrolcüyü bir araya getirerek, 512 GB’lık önceki sürüm ile aynı boyutlarda (11.5 mm x 13 mm) iki kat kapasite sunabiliyor.
Bu bellek çözümüyle akıllı telefon kullanıcıları artık 10 dakikalık 260 adet 4K UHD (3840x2160) videoyu cihazlarına kaydedebilecek. Günümüzde üst düzey akıllı telefonlarda yaygın olarak kullanılan 64 GB eUFS ile aynı boyutta 13 adet video saklanabiliyor.
ÜRETİMİNE ÖNÜMÜZDEKİ AYLARDA BAŞLANACAK
Yeni eUFS, 1000 MB/sn’ye varan hızıyla standart bir 2.5 inç SATA SSD’den iki kata kadar daha yüksek sıralı okuma hızı sunuyor. 5 GB boyutunda Full HD videolar bir NVMe SSD’ye 5 saniye içinde aktarılabiliyor. Bu da standart bir microSD karta göre 10 kata kadar daha yüksek hız anlamına geliyor.
Ayrıca, rastgele okuma hızı da 512 GB’lık sürüme göre yüzde 38’e varan oranlarda artırılarak 58.000 IOPS düzeyine ulaşabiliyor. Rastgele yazma ise 50.000 IOPS’a varan bir microSD karttan (100 IOPS) 500 kata kadar hızlı hale geldi.
Rastgele hızlar sayesinde saniyede 960 kare yüksek hızlı kesintisiz çekim yapmak mümkün hale geliyor. Samsung, 2019’un ilk yarısında beşinci nesil 512 Gb V-NAND belleklerinin üretimini Kore’deki Pyeongtaek tesisinde de yapmaya başlayacak.